四探針電阻率測試儀（單電）半導體材料測試儀器主要用于測量半導體的電阻、方阻和電阻率等參數(shù)，如硅片、化合物半導體等。陶瓷材料測試儀器則用于測量陶瓷材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù)，如氧化鋁、氮化硅等。金屬材料測試儀器則用于測量金屬材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù)，如銅、鋁等。四探針電阻率測試儀（單電）四探針測試儀測量半導體的電阻、方阻和電阻率等參數(shù)，以確保半導體的質(zhì)量和性能符合要求。在陶瓷制造行業(yè)中，可以使用陶瓷材料測試儀器測量陶瓷材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù)，以優(yōu)化陶瓷材料的配方和生產(chǎn)工藝。

技術參數(shù)：

1.電阻率：10-5～2×106Ω-cm
2.電   阻：10-5～2×106Ω

3.電導率：5×10-6～105ms/cm

4.分辨率： 小0.1μΩ測量誤差±（0.05%讀數(shù)±5字）

5.測量電壓量程： 2mV   20mV  200mV 2V 測量精度±（0.1%讀數(shù)）

6.分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

7.電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。
量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, 誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

8.顯示方式：液晶顯示電阻值、電阻率、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算

9.傳感器壓力：200kg  (其他規(guī)格可以定制)

10.粉末測量裝置 模具：內(nèi)徑10mm；高：25mm；

加壓方式：手動液壓加壓/自動加壓方式（選購）

11.電源：220±10% 50HZ/60HZ

12.主機外形尺寸：330mm*350mm*120mm

13.凈重量：約6kg

導電電阻率測試儀功能介紹：本儀器采用四端測量法適用于碳素粉末廠、焦化廠、石化廠、粉末冶金廠、高等院校、科研部門，是檢驗和分析粉末樣品質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.使用薄膜按鍵開關面板，操作簡單，耐用，符合人體工學操作規(guī)范. 提供中文或英文兩種語言操作界面

8.1.1對十組測量數(shù)據(jù)中的每一組,用式(2)計算探針間距S, ,S2,,Sy

S = [(C, + D,)/2]-[(A, +B,)/2]

S,=[(E, + Fj)/2]-[(C, +D,)/2]

.....-(2)

S,,=[(G, +H,)/2]-[(E; +F;)/2]

式中:

S,~S,,--探針間距,單位為厘米(cm);

A~H一一探針壓痕的點位,見圖6所示,單位為厘米(cm);

腳標j一組數(shù),取1到10。

8.1.2用式(2)得到的S,計算每一間距平均值S，如式(3):

-(0)s

………--………(3)

式中:i取 1,2,3.

8.1.3將按式(3)計算得到的S,和按式(2)計算得到的S。,利用式(4)分別計算3個間距的試樣標準

偏差a

?/÷[∑

....…...……(4)

8.1.4計算平均探針間距S,如式(5):

s=/(++)

...……………(5)

8.1.5計算探針系數(shù)C和適用于圓片測量時的探針間距修正因子F„,分別如式(6)和式(7):

C-

2x

…………----*(6)

京+¯+s¯s+S

1

F,=1+1.082[1-(/)

.......-.-*****……(7)

8.2利用7.1.3~7.1.4測量的數(shù)據(jù)計算模擬電路測量的平均電阻r和標準偏差o。

8.2.1如果采用直接測量電阻,用單個正向和反向電阻(無論是計算結果或是測量結果)均按式(8)計

算平均電阻,否則按8.2.2計算模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,:

…………---…(8)

式中:

r-10個模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,中的任意一個值.

8.2.2根據(jù)測量值計算模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,如式(9):

--中厚度修正系數(shù)F(W/S)表格范圍增加;

一按中文格式分直排四探針法、直流兩探針法進行編排。

本標準代替GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》和GB/T 1552-1995《硅、鍺

單品電阻率測定直排四探針法》。

本標準與GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995相比，主要有如下變化:

一一刪除了鍺單晶測定的相關內(nèi)容;1范圍

本方法規(guī)定了用直排四探針法測量硅單晶電阻率的方法.

本方法適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍

的硅單晶體電阻率以及測量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。

本方法可測定的硅單晶電阻率范圍為1X10-Ω?cm~3X10' Ω.cm.

2環(huán)境要求

環(huán)境溫度為23℃±1℃,相對濕度不大于65%。

3干擾因素

3.1光照可能嚴重影響觀察電阻率,特別是近似本征材料。因此,所有測試應在暗室進行,除非是待測

樣品對周圍的光不敏感。

3.2當儀器放置在高頻于擾源附近時,測試回路中會引入虛假電流，因此儀器要有電磁屏蔽。

3.3試樣中電場強度不能過大,以避免少數(shù)載流子注入。如果使用的電流適當,則用該電流的兩倍或

一半時,引起電阻率的變化應小于0.5%。

3.4由于電阻率受溫度影響,一般測試適用溫度為23℃±1 ℃.

3.5對于厚度對測試的影響,仲裁測量要求厚度按本方法的6.3規(guī)定測量,一般測量用戶可以根據(jù)實

際需要確定厚度的要求偏差。

3.6由于探針壓力對測量結果有影響,測量時應選擇合適的探針壓力。

3.7仲裁測量時選擇探針間距為1.59mm,非仲裁測量可選擇其他探針間距。

4方法提要直排四探針測量示意圖

5測量儀器

5.1探針裝置由以下幾部分組成。

5.1.1探針用鎢,碳化鎢或高速鋼等金屬制成,針尖呈圓錐型,夾角為45°~150*初始標稱半徑為

25 μm~50 μm。

5.1.2探針壓力,每根探針壓力為1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分別用于硅單晶棒的電阻率測

量,也可選擇其他合適的探針壓力。

5.1.3絕緣性,一探針(包括連接彈簧和外部引線)與任何其他探針或裝置任一部分之間絕緣電阻大于

10’Ω.

5.1.4探針排列和間距,四根探針的應成等間距直線排列。仲裁測量時,探針間距(相鄰探針之間

的距離)標稱值應為1.59mm。其他標稱間距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁測量,探針間距按7.2

測定。

5.1.5探針架,能在針尖幾乎無橫向移動的情況下使探針下降到試樣表面.