介電常數(shù)測試儀生產(chǎn)廠家
產(chǎn)品概述
介電常數(shù)測試儀生產(chǎn)廠家特點:
◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術(shù),使測Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動/手動量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測試信號。獨立信號 源輸出口,所以本機又是一臺合成信號源。
◎ 測試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
介電常數(shù)測試儀生產(chǎn)廠家主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測試。
2.1.2 tanδ和ε測量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器
Q值測量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
使用方法
- 被測樣品的準(zhǔn)備
被測樣品要求為園形,直徑25.4~27mm,這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1~5mm之間,如太薄或太厚則測試精度就會下降,樣品要盡可能平直。
下面推薦一種能提高測試精確性的方法:準(zhǔn)備二片厚0.05mm的園形錫膜,直徑和平板電容器極片*,錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林,它起粘著作用,又能排除接觸面之間殘余空氣,把
錫膜再粘在平板電容器兩個極片上,粘好后,極片呈鏡面狀為佳,然后放上被測樣品。
測試順序
先要詳細了解配用Q表的使用方法,操作時,要避免人體感應(yīng)的影響。
- 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于zui小電容量,微調(diào)電容置于-3pF。
- 把本測試裝置插到Q 表測試回路的“電容”兩個端子上。
- 配上和測試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈
- 調(diào)節(jié)平板電容器測微桿,使二極片相接為止,讀取刻度值記為DO。
- 再松開二極片,把被測樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時要用測微桿,以免夾得過緊或過松),這時能讀取新的刻度值,記為D1,這時樣品厚度D2= D1-D0。
- 把園筒電容器置于5mm處。
- 改變配合Q表頻率,使之諧振,讀得Q值。
- 先順時針方向,后逆時針方向,調(diào)節(jié)園筒電容器,讀取當(dāng)Q表指示Q值為原值的一半時測微桿上二個刻度值,取這二個值之差,記為M1。
- 再調(diào)節(jié)園筒電容器,使Q表再次諧振。
- 取出平板電容器中的樣品,這時Q表又失諧,調(diào)節(jié)平
板電容器,使再諧振,讀取測微桿上的讀值D3,其變化值為
D4= D3-D0。
- 和h款操作一樣,得到新的二個值之差,記為M2。
3. 計算測試結(jié)果
被測樣品的介電常數(shù):
Σ=D2 / D4
被測樣品的損耗角正切值:
tgδ=K(M1-M2 )/ 15.5
式中:K為園筒電容器線性變化率,一般為0.33 / mm,每個測試夾具在盒蓋內(nèi)標(biāo)有具體數(shù)值。
一般按以上公式計算的結(jié)果,其精度和重復(fù)性是能滿足的,但對介電常數(shù)大的被測樣品(即樣品從平板樣品放入和取出,平板電容器刻度值變化較大),邊緣效應(yīng)電容對測試會有較顯著的影響,這時可按下列公式計算:
Σ=(C2 + CF2-CF)/ C1
tgδ=K(M1-M2 )/ 3.46(C2 + CF2-CF)/ C1